半導體行業專用氮氣發生器(腔體保護氣，干泵吹掃氣)

NITROGEN-M-100/200

Peculiar針對(dui)LC/MS 氮(dan)氣流量、純(chun)度、壓力的(de)特殊(shu)要(yao)求專(zhuan)門設計了(le)安全、高效、方便的(de)專(zhuan)用于

PECULIAR(UK)INSTRUMENT     TECHNOLOGY     LIMITED 英國普拉(la)勒科技有限公(gong)司(si)LC/MS 氮氣(qi)發生(sheng)器，產生(sheng)純度高達(da)99.5%的潔凈、干燥(zao)氮(dan)氣(qi)，符合(he)半導體行(xing)業腔體保護氣(qi)，干泵(beng)吹掃(sao)氣(qi)

要(yao)求，包含APCI及ESI接(jie)口(kou)。氮氣發生器采用膜分(fen)離技術，無(wu)須二次凈化(hua)，即可連續(xu)獲得潔凈、干

燥、無鄰苯二甲酸酯(zhi)的氮氣，氮氣純度和流量穩定(ding)，使用壽命(ming)長。外置渦旋壓縮機提高了空氣供應

的安全(quan)性，流速范(fan)圍(wei)從0-100L/min, 可同(tong)時為一臺或(huo)多臺儀器供應氮氣。特殊機型可以定(ding)制，最

大流速范圍可以達到200 L/min。

主要技術參數 |

MAIN          TECHNICAL          PARAMETERS

◎流量(liang)：0-100/200L/min  @100psi(7bar)

◎工作環境：5C-40℃   濕(shi)度80%

◎使用(yong)最高海拔(ba)：2200m

◎露(lu)點：<-55℃

◎顆粒(li)：<0.01μm

◎滯(zhi)留液體(ti)：無

◎鄰(lin)苯二甲(jia)酸：無

◎噪(zao)聲：<47dB(A)

◎開機純化時(shi)間：30min

◎功率(lv)：8000W

◎電力要(yao)求：220V 50Hz